济南金创科技发展有限公司

  • 硫化镓晶体(百分之99.995) GaS

    济南金创科技发展有限公司硫化镓晶体GaS(GalliumSulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=0.360,b=0.640nm,c=1.544nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 硫化锗晶体(百分之99.995) GeS

    济南金创科技发展有限公司硫化锗晶体GeS(GermaniumSulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:斜方晶系 晶胞参数:a=1。450,b=0。364nm,c=0。430nm,α=β=γ=90° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二硫化铪晶体(百分之99.995) HfS2

    二硫化铪晶体HfS2(HafniumDisulfide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.363nm,c=0.586nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 二硫化钼晶体(天然/百分之99)MoS2

    二硫化钼晶体(天然)MoS2(MolybdenumDisulfide) 晶体结构:六边形 类型:天然晶体 尺寸:~10mm-20mm 纯度:99% 属性:半导体

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  • 二硫化钼晶体MoS2-syn-N type

    二硫化钼晶体(2H-合成/99。995%/n型)MoS2(MolybdenumDisulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0。315nm,c=1。229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二硫化钼晶体MoS2-syn

    二硫化钼晶体(2H-合成/99.995%/p型)MoS2(MolybdenumDisulfide)-syn 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:P型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 大尺寸二硫化钼晶体(天然/百分99.9) MoS2

    大尺寸二硫化钼晶体(天然/99.9%)MoS2(MolybdenumDisulfide) 晶体尺寸:~10毫米-15毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.315nm,c=1.229nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.9%

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  • 二硫化钨钼晶体(百分之99.995) MoWS2

    二硫化钨钼晶体MoWS2(MolybdenumTungstenDisulfidealloy) 晶体尺寸:~6毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:取决于合金成分:a=b=0。31-0。33nmandc=1。21-1。29nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二硫化铌晶体(百分之99.995) 3R-NbS2

    二硫化铌晶体3R-NbS2(NiobiumDisulfide) 晶体尺寸:4毫米 电学性能:金属 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.330nm,c=1.792nm,α=β=90,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 二硫化铅锡晶体(百分之99.995) PbSnS2

    二硫化铅锡晶体PbSnS2(LeadTinDisulfide) 晶体结构:六边形 类型:天然晶体 尺寸:~8mm 纯度:99。995% 属性:半导体

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  • 二硫化铼晶体(百分之99.995) ReS2

    济南金创科技发展有限公司二硫化铼晶体ReS2(RheniumDisulfide) 晶体结构:三斜晶晶体尺寸:~8毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:三斜晶系 晶胞参数:a=0.634,b=0.640nm,c=0.645nm,α=106.74°,β=119.03°,γ=89.97° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 二硫化锡晶体(百分之99.995) 2H-SnS2

    二硫化锡晶体2H-SnS2(TinSulfide) 晶体尺寸:~8毫米 电学性能:半导体(~2。2ev) 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0。364,c=0。589nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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