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  • 硒化铋晶体(百分之99.995)Bi2Se3

    济南金创科技发展有限公司硒化铋晶体Bi2Se3(BismuthSelenide) 晶体尺寸:10毫米 电学性能:拓扑绝缘体 晶体结构:菱面体 晶胞参数:a=b=0.413,c=2.856nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 硒化镓晶体(百分之99.995)2H-GaSe

    硒化镓晶体2H-GaSe(GalliumSelenide) 晶体尺寸:10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.374nm,c=1.592nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 硒化锗晶体(百分之99.995)GeSe

    硒化锗晶体GeSe(GermaniumSelenide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:斜方晶系 晶胞参数:a=0.383nm,b=0.440nm,c=1.078nm,α=β=γ=90° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 二硒化铪晶体(百分之99.995)HfSe2

    二硒化铪晶体HfSe2(HafniumSelenide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0。3745nm,c=0。6160nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 硒化铟晶体(百分之99.995) In2Se3

    硒化铟晶体In2Se3(IndiumSelenide) 晶体尺寸:8-10毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0。398nm,c=18。89nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二硒化钼晶体(百分之99.995)2H-MoSe2-P型

    二硒化钼晶体2H-MoSe2(MolybdenumDiselenide)-P型 晶体尺寸:~10毫米 电学特性:P型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.329nm,c=1.289nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:99.995%

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  • 硫硒化钼晶体(百分之99.995)MoSSe

    晶体尺寸:~6毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:取决于合金成分:a=b=0.31-0.33nmandc=1.21-1.29nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 硒化钨钼晶体(百分之99.995) MoWSe2

    硒化钨钼晶体MoWSe2(MolybdenumTungstenDiselenide) 晶体尺寸:6毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:取决于合金成分:a=b=0.31-0.33nmandc=1.21-1.30nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 二硒化铌晶体(百分之99.995)2H-NbSe2

    二硒化铌晶体2H-NbSe2(NiobiumSelenide) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:金属,半导体(TC~7.2k) ChargeDensityWaves(CDW)system,Tcdw~33K 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.344nm,c=1.255nm,α=β=90°,γ=120° 晶体

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  • 二硒化铂晶体(百分之99.995) PtSe2

    二硒化铂晶体PtSe2(PlatinumSelenide) 晶体尺寸:2-3毫米 电学性能:半金属 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0。375nm,c=0。506nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二硒化铼晶体(百分之99.995) ReSe2

    济南金创科技发展有限公司二硒化铼晶体ReSe2(RheniumSelenide) 晶体尺寸:~8毫米 电学性能:n型半导体 晶体结构:三斜晶系 晶胞参数:a=0。658nm,b=0。670nm,c=0。672nm,α=91。75°,β=105°,γ=118。9° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二硒化锡晶体(百分之99.995) SnSe2

    二硒化锡晶体SnSe2(TinSelenide) 晶体尺寸:~8毫米 电学性能:半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.381,c=0.614nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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