济南金创科技发展有限公司

  • 碲化铋晶体(百分之99.995) Bi2Te3

    碲化铋晶体Bi2Te3(BismuthTelluride) 晶体结构:六边形晶体尺寸:~10毫米 电气性能:拓扑绝缘体的 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.438nm,c=3.050nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 济南金创科技发展有限公司二碲化铪晶体(百分之99.995)HfTe2

    二碲化铪晶体HfTe2(HafniumTelluride) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:半金属 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.395nm,c=0.666nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 二碲化钼晶体(百分之99.995)1T-MoTe2

    济南金创科技发展有限公司二碲化钼晶体1T-MoTe2(MolybdenumDitelluride) 晶体尺寸:~10毫米 电学特性:金属 晶体结构:单斜晶系 晶胞参数:a=0。621nm,b=0。347nm,c=1。383nm,α=γ=90°,β=93。83° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二碲化铌晶体(百分之99.995)

    二碲化铌晶体NbTe2(NiobiumSelenide) 晶体尺寸:~8毫米 电学性能:金属,半导体(TC~0。7k) 晶体结构:单斜晶系,C 晶胞参数:a=1。470nm,b=0。364,c=0。935nm,α=γ=90°,β=108° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二碲化钛晶体(百分之99.995)TiTe2

    济南金创科技发展有限公司二碲化钛晶体TiTe2(TitaniumDitelluride) 晶体尺寸:~8毫米 电学性能:半金属 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0。377nm,c=0。649nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995%

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  • 二碲化钨晶体(百分之99.995)WTe2

    二碲化钨晶体WTe2(TungstenDitelluride) 晶体尺寸:10毫米 电学性能:半金属,typeIIWeylsemimetal(WSM) 晶体结构:斜方晶系P 晶胞参数:a=0。348nm,b=0。625nm,c=1。405nm,α=β=γ=90° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995% 属性:半导体

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  • 碲化砷 As2Te3 (Arsenicum Telluride)

    晶体尺寸:10毫米 电学性能:半导体,拓扑绝缘体,热电材料 晶体结构:单斜晶结构 晶胞参数:a=1。430nm,B=0。403nm,C=0。986nm,α=γ=90°,β=95。40 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

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  • 二碲化钽 TaTe2 (Tantalum Ditelluride)

    晶体尺寸:10毫米 电学性能:金属,电荷密度波(CDW)(TCDW~170K) 晶体结构:单斜晶 晶胞参数:a=1.479nm,B=0.364nm,C=0.934nm,α=γ=90°,β=110.71 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

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  • 碲化锡 Sb2Te3 (Antimony Telluride)

    晶体尺寸:10毫米 电学性能:半导体,拓扑绝缘体,热电性 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0。425nm,C=3。048nm,α=β=90°γ=120 晶体类型:合成 晶体纯度:>99。995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

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  • 碲化锆 ZrTe3 (Zirconium Tritelluride)

    晶体尺寸:8毫米 电学性能:半金属,电荷密度波(CDW,~63K),超导体(TC~2K) 晶体结构:单斜磷 晶胞参数:a=0.5864nm,B=0.3918nm,C=1.009nm,α=γ=90°,γ=98 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995% 表征方法:XRD、拉曼、EDX

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  • 济南金创科技发展有限公司二碲化钼晶体(百分之99.995)2H-MoTe2

    二碲化钼晶体2H-MoTe2(MolybdenumDitelluride) 晶体尺寸:~10毫米 电学性能:N型半导体 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.353nm,c=1.396nm,α=β=90,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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  • 二碲化钯晶体 PdTe2

    二碲化钯晶体PdTe2(PalladiumDitelluride) 晶体尺寸:2-3毫米 电学性能:金属,半导体(Tc~1.7K) 晶体结构:六边形 晶胞参数:a=b=0.4035nm,c=0.5105nm,α=β=90°,γ=120° 晶体类型:合成 晶体纯度:>99.995%

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